技術名稱 : 利用掃頻式線型離子阱質譜
技術摘要 : 本發明係使用兩個功率放大器將RF的相反相位施加到x和y電極，以選擇性地釋放離子。研究結果顯示，線型離子阱做為一質譜儀具有容量大、離子傳導效率高、易與其它裝置結合等優點。
授權期間 : 民國111年1月3日至128年11月17日止
技術覽號 : 28A-990722B
專屬授權公告日期 : 民國109年6月22日至109年6月29日止
利用掃頻式線型離子阱質譜(28A-990722B)
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