智財技轉處 Department of Intellectual Property and Technology Transfer 智財技轉處 Department of Intellectual Property and Technology Transfer

TW 713240、US 10971677 B2

本發明的自旋軌道耦合力矩磁阻式隨機存取記憶體(SOT-MRAM)，具有較低的垂直異向性(PMA)元件的臨界電流。

可應用於翻轉垂直異向性(PMA)的磁阻式隨機存取記憶體(Magnetic random-access memory；MRAM)。