本院覽號:02A-910802
創作人:姚永德、郭博成、陳勝吉、孫安正、李昭德、周群淵、蔣振劼
智財權:TW 200160、JP 4084638
摘要:
本發明係關於製造供高密度磁性資料儲存用之磁性顆粒狀薄膜之技術,其中使磁性晶粒散佈於非磁性之非晶質基地中,且磁性晶粒各被晶粒限制材料所包圍,此晶粒限制材料在退火過程中可抑制晶粒之成長。
可能的應用範圍:
磁記錄媒體(如硬碟之磁性薄膜)。
此項發明的優點:
在先前之專利(U.S. Patent No. 6,183,606 B1,“Manufacture Method of High Coercivity FePt- Si3N4 Granular Composite Thin Film”),我們曾提出將高磁性的FePt粒子散佈在非磁性之非晶質SiN基地,由於FePt磁性粒子被非晶質之SiN分開,可降低磁性粒子間彼此之磁交互作用,而可降低媒體雜訊,提高硬碟片之記錄密度(Jian-Gang Zhu, "Transition noise properties in longitudinal thin film media", IEEE Trans. Magn. Vol.29, no.1, pp.195-200, 1993)。然而,由於其磁性粒子尺寸(約30 nm)不夠小,導致碟片記錄密度無法再進一步提升;此外,我們也發現添加Cr於FePt薄膜時Cr會析出在FePt晶界,而可限制FePt晶粒的成長,縮小FePt晶粒之尺寸(P. C. Kuo, Y. D. Yao, C. M. Kuo and H. C. Wu, “Microstructure and magnetic properties of the (FePt)100-xCrx thin films”, Journal of Applied Physics, vol.87, pp. 6146-6148, 2000)。因此,本發明除了將FePt粒子散佈在非磁性之SiN基地,並於FePt中添加Cr以降低磁性粒子尺寸,進一步提高硬碟片之記錄密度。
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