本院覽號:02A-971231
創作人:胡宇光 、陳語同、羅宗男、邱正瑋、劉啟人
智財權:中華民國專利獲證號: I 397722
摘要:
一種採用結合電子束微影術(electron beam lithography)與脈衝模式之電沈積(electrodeposition)技術製作具高圖形密度與高深寬比奈米尺寸結構元件之製程。其中電子束微影術可以初步定義元件圖形所需之高密度與高深寬比之溝槽(trench)結構,之後利用脈衝模式之電沈積填補此溝槽達到金屬結構之建立。使用脈衝式電沉積可以提供較充裕的時間,以在電沈積步驟中補充溝槽內金屬離子不足之問題,因而能得到高圖形密度且具備高深寬比之金屬結構。
可能的應用範圍:
可應用於電子與光學元件之製作 可作為X光影像的放大元件
智財技轉處聯絡人:
對本技術有興趣,請於本處網頁廠商選項下(廠商需求與諮詢)網頁填寫資料,承辦人將跟您聯絡。
If you are interested in this technology, please fill in the information on the webpage under the manufacturer option (Apply for Technology Licensing, Material Transfer, or Sponsored Research) on the website of this office, and the undertaker will contact you