本院覽號:02A-1030320
創作人:陳啟東、蘇雅雯、吳憲昌、劉智華
智財權:中華民國專利: I618188
摘要:
石墨烯除了當晶種層亦可作為擴散阻擋層(diffusion barrier)。其特性比常見的銅晶種層有較長的停滯時間,將可避免表面氧化生成。應用於金屬連線(interconnect)將可降低整體導線電阻與提高可靠度。將石墨烯作為阻障層/晶種層用於現今雙鑲嵌製程中,則形成的conformal 銅電鍍。若將石墨烯作為cap layer,可成為由下而上的銅電鍍。上述兩者皆可與銅電鍍結合用於現今雙鑲嵌後段金屬製程或是3D IC 的Through Silicon Via(TSV)中。
可能的應用範圍:
- 3D IC Chip
- TSV interconnect
此項發明的優點:
由於半導體製程元件尺寸愈做愈小,金屬連線需克服金屬於溝槽中阻障層與晶種層,因厚度不易減薄而影響整體導線阻值的問題。
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