本院覽號：26A-1010224
創作人：林時彥、林孟佑、陳書涵
智財權：中華民國專利獲證號：I 526559
摘要：
在金屬基板底下會形成石墨烯薄膜，我們運用此特性，成功的運用標準的光學顯影方式達成石墨烯定位成長的目標，此技術避免了需實驗技巧的石墨烯取下及再次覆蓋的步驟，此技術可應用在次世代透明導電電極及高速元件的製作。
可能的應用範圍：
半導體產業
發光二極體產業
此項發明的優點：
此技術避免了需高度實驗技巧的石墨烯取下及再次覆蓋的步驟，同時可運用標準的光學顯影方式達成石墨烯定位成長的目標。
智財技轉處聯絡人：張震宇 / 02-2787-2507 / chenyu@gate.sinica.edu.tw