智財技轉處 Department of Intellectual Property and Technology Transfer 智財技轉處 Department of Intellectual Property and Technology Transfer

此專利為製作大面積與低缺陷之三族氮化物半導體基板與其元件，在製作過程中利用氮化鎵與藍寶石介面中之六角型金字塔結構有效增加發光二極體之光萃取效率。利用此方法將氮化鎵與藍寶石機板分離並不需要用到雷射剝離法。