高效能金屬氧化物薄膜電晶體之製作方法
更新時間: 2021-11-15 10:37:29
高效能金屬氧化物薄膜電晶體之製作方法
本院覽號
26T-960724
智財權狀態
know-how
摘要
用金屬氧化物薄膜電晶體製作出的光電子元件具有簡易的製造與多樣功能,並且擁有獨特的吸引之處是傳統金屬氧化物半導體電晶體所不及的,像是可繞性、輕巧、環保的製程與大面積製造與整合。另外運用熱蒸鍍反應方式製作出的金屬氧化物薄膜電晶體特性已接近一般多晶矽電晶體的特性並具有非常之穩定性。如此好的電子特性外加低溫簡易的製程,致使它們可用於運用於製作許多光電元件,甚至將光電元件製作於軟性的基板上。此一新的技術不僅引領了學術研究,並且也將導入實際的運用。
技術優勢
- 低溫簡易且環保的熱蒸鍍製程,且可製作大面積。
- 因極薄(<200Å)的半導體體層製作電晶體時不需耗費大量材所以非常環保且低成本。
- 圖樣化可運用黃光製程或用光照直接製作。
- 因熱蒸鍍上去的分子動能小,所以不會破壞材料與材料之間的界面
- 蒸鍍源容易取得,可為純的金屬或是金屬氧化物。
應用範圍
可能應用的產業: 能源及光電產業
可能應用的產品: 顯示器驅動電路、太陽能電池、無線射頻識別器、電子紙、智慧卡、感測器等。
創作人
朱治偉、庫奇達
聯絡人
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